短波焦平面探測器是用來對9-14μm的電磁波進行成像探測的探測器。根據(jù)黑體輻射理論，任何物體都會向外輻射電磁波，電磁波頻譜分布與溫度有關(guān)，溫度越高，輻射峰值波長越短。由于常溫(30℃)的物體黑體輻射電磁波的峰值波長約為10μm左右，所以對9-14μm的電磁波進行探測能夠?qū)Ρ容^適合用于常溫環(huán)境。
 

　　短波焦平面探測器按探測機理可分為熱探測器和光子探測器，按其工作中載流子類型可以分為多數(shù)載流子器件和少數(shù)載流子器件兩大類，按照探測器是否需要致冷，分為致冷型探測器和非致冷型探測器。非致冷探測器目前主要是非晶硅和氧化釩探測器，致冷型探測器主要包括碲鎘汞三元化合物、量子阱紅外光探測器Ⅱ類超晶格等。
 

　　隨著短波焦平面探測器材料研究的進展和短波紅外焦平面探測器制備工藝的不斷改進和創(chuàng)新，短波紅外焦平面探測器將向更大面陣規(guī)模、更寬的光譜響應范圍發(fā)展，將會在更多的領(lǐng)域得到重視和應用。
 

　　短波焦平面探測器由探測器陣列與讀出電路倒裝互連而成。焦平面器件技術(shù)涵蓋光電子與微電子技術(shù)范疇，器件結(jié)構(gòu)復雜，技術(shù)難度大，對設(shè)計、工藝、產(chǎn)品化等技術(shù)均有較高要求。紅外成像技術(shù)的核心部分當屬紅外探測器技術(shù)，包括紅外材料、器件等重大制造工藝技術(shù)，涉及紅外探測器基礎(chǔ)理論、總體設(shè)計、薄膜材料生長技術(shù)、材料性能表征與評價技術(shù)。