物質(zhì)由于某種原因（熱、電、磁、粒子轟擊或化學(xué)反應(yīng)等）以電磁波形式向外界發(fā)射能量的現(xiàn)象稱為輻射。物體因具有溫度而發(fā)射電磁波的現(xiàn)象則稱為熱輻射，一切溫度高于絕對零度的物體都可進行熱輻射，溫度越高其輻射出的總能量也越大。

對于依靠大功率發(fā)動機的設(shè)備或者是在工作時產(chǎn)生高溫的設(shè)備來說，其特殊的工作原理會導(dǎo)致本身的輻射量大幅度增加，與背景形成強烈的輻射反差，增加了被探測到的概率。為了提高這類設(shè)備的生存能力，于是應(yīng)運而生了隱身技術(shù)。所謂隱身技術(shù)是指通過改變目標發(fā)出的可探測性的特征信息，抑制其發(fā)出的信號，從而降低其被探測發(fā)現(xiàn)的風(fēng)險，達到提高目標生存能力的一門綜合技術(shù)。伴隨著紅外探測器技術(shù)的高速發(fā)展，使得紅外隱身技術(shù)能力亟需提升。

紅外隱身技術(shù)主要由兩種方式來提高隱身性能。一種是通過控制設(shè)備的表面溫度，使得紅外探測裝置無法探測，另一種是通過降低設(shè)備表面的紅外發(fā)射率。這就分為了兩個研究領(lǐng)域去同時提升設(shè)備的紅外隱身性能。其中因國內(nèi)材料學(xué)科的興起與技術(shù)的快速提升，研制出的能夠降低設(shè)備紅外發(fā)射率的涂覆材料種類也日益增加。通過降低設(shè)備紅外發(fā)射率的方式已然成為了降低設(shè)備紅外隱身性能的關(guān)鍵技術(shù)。

因為各種形式的物質(zhì)只要溫度高于絕對零度（-273.15°C / -459.8°F），都會根據(jù)其溫度發(fā)射紅外輻射。紅外發(fā)射率則就是物質(zhì)在某一特定溫度下物體發(fā)射出的紅外能與理論上在沒有損失時的的比例。而黑體的發(fā)射率為1，所以可以理解物質(zhì)紅外發(fā)射率為：在某一特定溫度下物體發(fā)射出的紅外能與相同溫度下黑體的輻射能力之比。例如某物質(zhì)能夠發(fā)射出95%的紅外能，那么其發(fā)射率則為0.95。

我司近年來一直致力于物質(zhì)紅外發(fā)射率的測量與標定。并研制出一款便攜式紅外發(fā)射率測量儀，其基于定向半球反射比（DHR）測試原理，即紅外光以一定角度（20°±1°）照射到待測物質(zhì)上，物質(zhì)反射率定義為反射到積分半球的光強與全部反射到半球的光強比例。因此，測試出物質(zhì)反射到積分球的信號強度，再測試出全部反射到積分球的信號強度，由此可計算出物質(zhì)的反射率。針對非透明物質(zhì)，其反射率+發(fā)射率=1可計算出物質(zhì)的發(fā)射率。

半球反射測試原理圖

RLK650便攜式紅外發(fā)射率測量儀，是采用的光電檢測技術(shù)、數(shù)字信號處理技術(shù)、嵌入式軟件技術(shù)，以及人體工程學(xué)技術(shù)新型的光電檢測儀器。其基于定向半球反射比（DHR）測量原理，完成雙波段（3-5um和8-12um）發(fā)射率的貼近測量，產(chǎn)品針對野外、移動試驗條件設(shè)計，集公司多項技術(shù)積累，吸收產(chǎn)品技術(shù)與特點，具有攜帶方便、操作簡單等優(yōu)點，測量結(jié)果保存在SD卡中?？蓮V泛應(yīng)用于飛機、艦船、車輛的紅外隱身性能現(xiàn)場評估，紅外隱身涂覆材料的研究等，是現(xiàn)代科研新的光電檢測儀器。